絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是在金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極晶體管(Bipolar)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型復(fù)合功率器件，具有MOS輸入、雙極輸出功能。IGBT集Bipolar器件通態(tài)壓降小、載流密度大、耐壓高和功率MOSFET驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好的優(yōu)點(diǎn)于一身。作為電力電子變換器的核心器件，為應(yīng)用裝置的高頻化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基礎(chǔ)。

    自IGBT商業(yè)化應(yīng)用以來，作為新型功率半導(dǎo)體器件的主型器件，IGBT在1—100kHz的頻率應(yīng)用范圍內(nèi)占據(jù)重要地位，其電壓范圍為600V—6500V，電流范圍為1A—3600A(140mm x 190mm模塊)。

    從應(yīng)用的角度來說，由IGBT芯片組成的IGBT器件、模塊、組件以及系統(tǒng)裝置有著極強(qiáng)的應(yīng)用范圍，小到我們?nèi)粘Ｋ姷淖冾l空調(diào)、變頻冰箱、吸塵器，大到軌道交通車輛、智能電網(wǎng)、航空航天、船舶驅(qū)動(dòng)、新能源裝備、新能源汽車等高端產(chǎn)業(yè)，可以說，凡是有電的地方，都可以看到它IGBT的身影，特別是在涉及國(guó)家經(jīng)濟(jì)安全、國(guó)防安全戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，高功率等級(jí)的IGBT尤為關(guān)鍵，在某種程度上，該技術(shù)成為衡量一個(gè)國(guó)家的技術(shù)水平和制造能力重要指標(biāo)之一，成為國(guó)家掌握核心技術(shù)，不受制于人的“大國(guó)重器”。

     與此同時(shí)，IGBT強(qiáng)大的功能決定它也是節(jié)能減排產(chǎn)業(yè)中不可或缺的關(guān)鍵技術(shù)。初步估算，如果將IGBT等電力電子技術(shù)應(yīng)用到全國(guó)20%的電機(jī)中，可以使其電能使用效率提高15%—30%，每年可節(jié)約用電2000億千瓦時(shí)，相當(dāng)20個(gè)三峽電站的年發(fā)電量。